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无机磷酸盐组合物及方法
发明专利权授予专利号: CN102781871A
申请人: 18纬度有限公司
发明人: 阿伦·沃;威廉·乔治;瓦季姆·德罗兹德;考希克·穆霍帕迪亚;萨米尔库玛·瓦桑特拉尔·帕特尔
申请日期: 2010-12-10
公开日期: 2014-11-26
IPC分类:
C09D1/00
摘要:
所公开和描述的是酸性磷酸盐组分和碱性氧化物/氢氧化物组分的多组分无机磷酸盐制品。还公开了其适于喷雾涂覆的高固体可雾化的组合物。
主权项:
1.一种可雾化的磷酸盐陶瓷喷雾组合物，所述组合物包含：第一组分，所述第一组分包含化学式Am(H2PO4)m.nH2O的酸性磷酸盐的水溶液，其中A为氢离子、铵阳离子、金属阳离子或其混合物，其中m＝1-3，并且n＝0-6，所述第一组分溶液被调节至约2至约5的pH值；第二组分，所述第二组分包含由B2mOm、B(OH)2m表示的碱性氧化物或碱性氢氧化物或其混合物的水溶液，其中B为化合价2m(m＝1、1.5或2)的元素，所述第二组分溶液被调节至9-14之间的pH值；和流变改性剂/悬浮剂，该流变改性剂/悬浮剂的量能够提供所述第一组分或所述第二组分的剪切稀化并且还能够将高固体含量的所述第一组分或所述第二组分悬浮以便雾化；和任选地，在所述第一组分和所述第二组分中的至少一种中以能够赋予可观察到的颜色和/或纹理的量存在的集料材料。
多孔CuAlMn形状记忆合金的制备方法
专利权的终止专利号: CN102031405A
申请人: 河北工业大学
发明人: 王清周;崔春翔;李诺;粱李敏;王倩
申请日期: 2010-12-09
公开日期: 2012-05-30
IPC分类:
C22C1/08
摘要:
本发明多孔CuAlMn形状记忆合金的制备方法，涉及有多孔形状记忆合金的制造，采用烧结-脱溶工艺技术，用雾化法制得的CuAlMn形状记忆合金粉加入微量氟化物粉末添加剂经球磨配制成CuAlMn形状记忆合金粉原料，再与去结晶水NaCl颗粒混合，同时加入添加剂无水乙醇，将均匀混合物装入压制模具，单向加压获得生坯，再经过烧结-脱溶和淬火处理，制得多孔CuAlMn形状记忆合金产品。该方法工艺简单，成本低且成功率高，产品孔隙率、孔径可控，烧结质量高，具有良好的阻尼及压缩吸能特性，适宜于作为实用的新型高阻尼材料。
主权项:
1.多孔CuAlMn形状记忆合金的制备方法，其特征在于：采用烧结-脱溶工艺技术，具体步骤是：第一步，CuAlMn形状记忆合金粉原料的配制取所需量的用雾化法制得的CuAlMn形状记忆合金粉，加入占该记忆合金粉总质量0.05～0.08％的氟化物粉末添加剂，在氩气保护下于行星式球磨机上球磨1.5小时，球磨中采用球料比为10∶1，球磨机的转速为200转/分钟，由此配制成CuAlMn形状记忆合金粉原料；第二步，去结晶水NaCl颗粒的配制对市售的NaCl颗粒进行去结晶水处理，然后将不同粒径的NaCl颗粒进行筛分，选出得到平均粒径为0.2mm～2mm的去结晶水NaCl颗粒；第三步，制备生坯将第二步制得的平均粒径为0.2mm～2mm的去结晶水NaCl颗粒与第一步制得的CuAlMn形状记忆合金粉原料按体积比均匀混合，同时加入为上述CuAlMn形状记忆合金粉原料和去结晶水NaCl颗粒总质量4～7％的添加剂无水乙醇，其中去结晶水NaCl颗粒的体积百分比含量为50～72％，将该均匀混合物装入压制模具，单向加压至400～450MPa，获得生坯；第四步，烧结成型将第三步制得的生坯置于氩气气氛中，在烧结炉中升温至785℃换为氢气气氛，烧结3～4小时，随后升温至980～985℃烧结2～3小时，然后降温至800℃以下换为氩气气氛，随炉冷却至室温，制得烧结成型的产品；第五步，脱溶溶除NaCl颗粒将第四步制得的烧结成型的产品除去表皮后置于循环水装置或超声波水浴中将NaCl颗粒彻底溶除，然后将该物品置于超声波无水乙醇浴中洗12～15分钟，制得彻底溶除NaCl颗粒的产品。第六步，多孔CuAlMn形状记忆合金产品的制得将第五步制得的彻底溶除NaCl颗粒的产品置于氩气气氛中升温至800～950℃固溶20～60分钟后淬火处理，在80℃烘干即制得多孔CuAlMn形状记忆合金产品。
钛靶铝背板焊接方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN102059421A
申请人: 宁波江丰电子材料有限公司
发明人: 姚力军;潘杰;王学泽;李响
申请日期: 2010-12-09
公开日期: 2011-05-18
IPC分类:
B23K1/20
摘要:
本发明实施例公开了一种钛靶铝背板焊接方法。该焊接方法包括：提供靶材和背板，所述靶材为Ti靶材，所述背板为Al背板；在所述Ti靶材的焊接面上形成镍层；采用钎焊方法将具有镍层的Ti靶材和Al背板结合起来。本发明所提供的钛靶铝背板焊接方法，通过在所述Ti靶材的焊接面上形成镍层，而镍层与焊接材料能够较好地润湿、结合，故本发明所提供的方法能够提高Ti靶材和Al背板的结合能力，不易产生Ti靶材从Al背板上脱落的现象。
主权项:
1.一种钛靶铝背板焊接方法，其特征在于，包括：提供靶材和背板，所述靶材为Ti靶材，所述背板为Al背板；在所述Ti靶材的焊接面上形成镍层；采用钎焊方法将具有镍层的Ti靶材和Al背板结合起来。
强化层扩散连接制备Fe3Al/Al复合结构的方法
专利权的终止专利号: CN102069295A
申请人: 上海工程技术大学
发明人: 任江伟;徐培全;韦媛
申请日期: 2010-12-09
公开日期: 2012-12-12
IPC分类:
B23K20/14
摘要:
本发明公开了一种强化层扩散连接制备Fe3Al/Al复合结构的方法。用喷丸或表面机械研磨在合金表面制备超细晶或者纳米晶构成的强化层，然后以强化层作为中间层进行扩散连接，得到Fe3Al/Al复合结构，Fe3Al合金与Al合金之间的界面处形成厚度约10-30μm的过渡层，接头处没有裂纹形成。该方法操作简单，处理时间短，设备投资小，对材料前期的表面处理要求较低。
主权项:
1.强化层扩散连接制备Fe3Al/Al复合结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对Fe3Al或者Al合金进行表面塑性变形，在表面制备由超细晶或者纳米晶构成的强化层；对未经过表面塑性变形的Al合金或Fe3Al合金的表面进行机械清理和化学清洗并干燥；用砂纸逐级打磨后，再用醇类(如乙醇)或者丙酮清洗后吹干；(2)将Fe3Al合金和Al合金工件用压头压紧，以强化层作为中间层，放置在真空室中进行扩散连接，采用的扩散焊工艺参数为：500～640℃下保温30～90min，Fe3Al合金和Al合金所受压力15～20MPa，真空度为10-2Pa～10-3Pa；(3)达到保温时间后，将真空室冷却到80～110℃后将工件取出，得到Fe3Al/Al复合结构。
一种官能化改性超支化聚苯醚及其制备方法
专利权的终止专利号: CN102115535A
申请人: 苏州大学
发明人: 顾嫒娟;黄萍珍;梁国正;袁莉
申请日期: 2010-12-09
公开日期: 2012-09-05
IPC分类:
C08G65/48
摘要:
本发明涉及一种超支化聚合物，特别涉及一种官能化改性超支化聚苯醚及其制备方法，属超支化聚合物合成技术领域。它以带酚羟基的超支化聚苯醚、3-卤代环氧丙烷为原料，经亲核取代反应，生成端基含环氧基团的超支化聚苯醚。该环氧化超支化聚苯醚具备了环氧基团和超支化聚苯醚的性能特征，有利于拓展超支化聚苯醚的应用规模与领域；本发明所提供的环氧化超支化聚苯醚，其制备工艺简单、易于控制，具有推广应用前景。
主权项:
1. 一种官能化改性超支化聚苯醚，其特征在于：所述超支化聚苯醚的端基含有环氧基团。
导电性高分子制造用氧化剂兼掺杂剂溶液、导电性高分子和固体电解电容器 導電性高分子製造用氧化劑兼摻雜劑溶液、導電性高分子及固體電解電容器
发明专利权授予专利号: CN102510871A;TW201209070A
申请人: 帝化株式会社
发明人: 杉原良介;鹤元雄平;鶴元雄平
申请日期: 2010-12-09
公开日期: 2013-04-24
IPC分类:
C08K5/1515
摘要:
本发明提供一种适合用于制造导电性高分子的氧化剂兼掺杂剂溶液，该导电性高分子在作为固体电解质使用时，能提供击穿电压高、耐电压性优异而且很少产生漏电不良的固体电解电容器；另外，提供使用该氧化剂兼掺杂剂溶液且具有上述性质的导电性高分子和固体电解电容器。在包含作为氧化剂兼掺杂剂的有机磺酸铁与碳原子数为1～4的醇的导电性高分子制造用氧化剂兼掺杂剂溶液中，添加具有缩水甘油基的化合物或其开环化合物。另外最好进一步添加多元醇。然后，使用这些氧化剂兼掺杂剂溶液，将噻吩或其衍生物氧化聚合，制造导电性高分子，使用该导电性高分子作为固体电解质，构成固体电解电容器。
主权项:
1.一种导电性高分子制造用氧化剂兼掺杂剂溶液，该导电性高分子制造用氧化剂兼掺杂剂溶液包含作为导电性高分子制造用氧化剂兼掺杂剂的有机磺酸铁与碳原子数为1～4的醇，其特征在于：添加了具有缩水甘油基的化合物或其开环化合物。
可变径旋转圆环电极
专利权的终止专利号: CN102539497A
申请人: 中国科学院金属研究所
发明人: 姜胜利;蒋斌;胡怀志;郑玉贵
申请日期: 2010-12-09
公开日期: 2014-03-05
IPC分类:
G01N27/30
摘要:
本发明涉及冲刷腐蚀电化学监测领域，具体为一种可变径旋转圆环电极。可变径旋转圆环电极设有金属旋转轴、绝缘套管、铜球I、弹簧、铜球II、绝缘层I、圆环电极、绝缘层II、绝缘电极套管，金属旋转轴为a部分和b部分构成，金属旋转轴的a部分固定在绝缘套管中，金属旋转轴的b部分与绝缘层I、绝缘层II一起嵌入并通过螺纹固定在绝缘电极套管中，圆环电极嵌入并固定在绝缘层和绝缘层之间，金属旋转轴的b部分通过铜球I、弹簧、铜球II与圆环电极的内表面顶触连接。本发明使研究试样在冲刷腐蚀实验中仅受切线力的作用结构，利用与绝缘电极套管嵌入不同尺寸的绝缘密封层，实现对更换不同直径的旋转圆环电极的电化学参数实时测量。
主权项:
1.一种可变径旋转圆环电极，其特征在于：可变径旋转圆环电极设有金属旋转轴、绝缘套管、铜球I、弹簧、铜球II、绝缘层I、圆环电极、绝缘层II、绝缘电极套管，金属旋转轴为a部分和b部分构成，金属旋转轴的a部分固定在绝缘套管中，金属旋转轴的b部分与绝缘层I、绝缘层II一起嵌入并通过螺纹固定在绝缘电极套管中，圆环电极嵌入并固定在绝缘层和绝缘层之间，金属旋转轴的b部分通过铜球I、弹簧、铜球II与圆环电极的内表面顶触连接，金属旋转轴顶端加工卡槽。
光学成像写入系统
发明专利权授予专利号: CN102656514A
申请人: 派因布鲁克成像系统公司
发明人: T·莱迪格
申请日期: 2010-12-09
公开日期: 2016-01-13
IPC分类:
G03B27/42
摘要:
本发明系关于一种在光刻制程中将光掩膜数据图案施用于基板的系统及方法。在一实施例中，该方法包含下列步骤：提供具有复数个空间光调变器(SLM)成像单元的平行成像写入系统，其中该等SLM成像单元排列成一个或多个平行阵列；接收待写入基版的光掩膜数据图案；处理该光掩膜数据图案，以形成复数个对应于基板不同区域的分区光掩膜数据图案；辨识出基板上一个区域中一个或多个待受对应SLM成像的对象；以及藉由执行多重曝光以将该对象成像于基板的该区域中，而控制该等SLM将该等分区光掩膜数据图案平行写入。
主权项:
1.一种在光刻制程中处理相邻成像区之间的影像数据的方法，包含下列步骤：提供平行成像写入系统，其中该平行成像写入系统包含复数个空间光调变器(SLM)成像单元，且该等SLM成像单元排列成一个或多个平行阵列；接收待写入基版的光掩膜数据图案；处理该光掩膜数据图案，以形成复数个对应于该基板不同区域的分区光掩膜数据图案；辨识出基板上一个区域中一个或多个待受对应SLM成像的对象；以及藉由控制该等SLM将该等分区光掩膜数据图案平行写入，而执行多重曝光以将该对象成像于基板的该区域中。
光学成像写入系统
专利申请权、专利权的转移专利号: CN102656515A
申请人: 派因布鲁克成像系统公司
发明人: T·莱迪格
申请日期: 2010-12-09
公开日期: 2015-03-11
IPC分类:
G03B27/42
摘要:
本发明涉及一种在光刻制程中将光掩膜数据图案施用于基板的系统及方法。在一个实施例中，该方法包含下列步骤：提供具有复数个空间光调制器(SLM)成像单元的平行成像写入系统，其中该SLM成像单元排列成一个或多个平行阵列；接收待写入基板的光掩膜数据图案；处理该光掩膜数据图案，以形成复数个对应于基板不同区域的分区光掩膜数据图案；辨识出基板上一个区域中待受对应SLM成像的对象；沿该对象的边缘选择评估点；配置该平行成像写入系统使其利用该评估点成像该对象；以及藉由控制该SLM将该分区光掩膜数据图案平行写入，而执行多重曝光以将该对象成像于基板的该区域中。
主权项:
1.一种在光刻制程中处理影像数据的方法，包含下列步骤：提供平行成像写入系统，其中该平行成像写入系统包含复数个空间光调制器(SLM)成像单元，且该SLM成像单元排列成一个或多个平行阵列；接收待写入基板的光掩膜数据图案；处理该光掩膜数据图案，以形成复数个对应于该基板不同区域的分区光掩膜数据图案；辨识出基板上一个区域中一个或多个待受对应SLM成像的对象；沿该对象的边缘选择评估点；配置该平行成像写入系统使其利用该评估点成像该对象；以及藉由控制该等SLM将该等分区光掩膜数据图案平行写入，而执行多重曝光以将该对象成像于基板的该区域中。
曝光装置 曝光裝置
专利权的终止专利号: CN102668025A;TW201131318A
申请人: 株式会社V技术;
发明人: 水村通伸
申请日期: 2010-12-09
公开日期: 2015-01-28
IPC分类:
H01L21/027
摘要:
本发明的曝光装置，具备：光束点生成单元(9)，其接受光源光(L1)并以规定间隔相互错开地至少排列成2列而生成多个光束点；光扫描单元(10)，其使上述多个光束点沿它们的排列方向在各组的规定范围内进行往返扫描；图案产生器(11)，其被配置成使上述多个光束点的往返扫描的中心各自与中心轴一致，且通过对在与上述中心轴平行的对置面设置了一对电极的方柱状的由电光晶体材料构成的多个开关元件进行接通/断开驱动，从而对上述光源光(L1)进行光调制来生成规定的明暗图案；和投影透镜(12)，其将上述明暗图案投影在滤色器基板(5)上，使上述各开关元件在上述光束点的扫描方向的宽度比上述光束点在相同方向的宽度大。
主权项:
1.一种曝光装置，其特征在于，具备：光束点生成单元，其接受光源光并以规定间隔相互错开地至少排列成2列，从而生成多个光束点；光扫描单元，其使上述多个光束点沿它们的排列方向在各自的规定范围内进行往返扫描；图案产生器，其被配置为使上述多个光束点的往返扫描的中心各自与中心轴一致，且通过对多个开关元件进行接通/断开驱动，从而对上述光源光进行光调制来生成规定的明暗图案，其中，上述多个开关元件在与上述中心轴平行的对置面设置了一对电极，形状为方柱状，由电光晶体材料构成；和投影透镜，其将上述明暗图案投影在被曝光体上，使上述各开关元件在上述光束点的扫描方向的宽度比上述光束点在相同方向的宽度大。
等离子显示装置和等离子显示面板的驱动方法
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN102714007A
申请人: 松下电器产业株式会社
发明人: 泽一树;齐藤朋之
申请日期: 2010-12-09
公开日期: 2012-10-03
IPC分类:
G09G3/20
摘要:
本发明提供一种等离子显示装置及等离子显示面板的驱动方法，可减少等离子显示面板中的载入现象，提高图像显示品质。为此，图像信号处理电路(41)具有：点亮单元数计算部(60)，其计算点亮单元的数目；负载值计算部(61)，其基于点亮单元数计算部(60)的计算结果来计算各放电单元的负载值；修正增益计算部(62)，其基于负载值计算部(61)的计算结果来计算各放电单元的修正增益；图案检测部(63)，其判断显示图像中有无载入现象发生；调整系数发生部(65)，其基于图案检测部(63)的判断结果产生调整系数；修正增益调整部(64)，其将调整系数与修正增益相乘来产生调整后修正增益；和修正部(69)，其基于调整后修正增益来修正图像信号。
主权项:
1.一种等离子显示装置，具备：等离子显示面板，其具备多个具有由扫描电极和维持电极构成的显示电极对的放电单元，并且具备多个由彼此发出不同颜色光的多个放电单元构成的像素；和图像信号处理电路，其将输入图像信号变换为表示所述放电单元中的每个子场的点亮/不点亮的图像数据，所述图像信号处理电路具备：点亮单元数计算部，其按每个所述显示电极对且按每个子场计算使其点亮的所述放电单元的数目；负载值计算部，其基于所述点亮单元数计算部中的计算结果来计算各放电单元的负载值；修正增益计算部，其基于所述负载值计算部中的计算结果来计算各放电单元的修正增益；图案检测部，其判断显示图像中有无载入现象的发生；调整系数发生部，其基于所述图案检测部的判断结果产生调整系数；修正增益调整部，其将所述调整系数与所述修正增益相乘来产生调整后修正增益；和修正部，其从所述输入图像信号中减去所述调整后修正增益与所述输入图像信号相乘之后的结果，所述图案检测部具备：邻接像素相关性判断部，其在邻接的所述像素间比较对各放电单元分配的灰度值来进行相关性判断；负载值变动判断部，其将所述等离子显示面板的图像显示面划分为多个区域，在多个所述区域的每个区域中计算所述负载值的总和，在邻接的2个所述区域间比较所述负载值的总和来进行负载值变动判断；和连续性判断部，其基于所述邻接像素相关性判断部中的相关性判断的结果和所述负载值变动判断的结果，判断显示图像中有无载入现象的发生。
高性能铸造镁合金及其制备方法
专利权的终止专利号: CN101985715A
申请人: 沈阳工业大学
发明人: 任英磊;邱克强;尤俊华
申请日期: 2010-12-08
公开日期: 2012-07-04
IPC分类:
C22C23/04
摘要:
高性能铸造镁合金及其制备方法，镁合金组分及质量百分比：Zn8%，Al6%，Cu1%~5%，Ca1%~5%，Mn1.5%，Si1%，余量Mg。方法：按上述百分比配料；用铁坩埚在电阻炉中熔炼Mg，再加入Zn、Al、Cu、Ca、Mn和Si，温度720℃~770℃，用N2和SF6混合作为保护气体，将得到的液态金属在710℃~750℃浇注；所得产物在380℃~420℃固溶3~6小时，再在170℃~190℃时效10~20小时。得到高性能铸造镁合金，抗拉强度≥320MPa、延伸率≥4%，具有良好的综合力学性能，可广泛应用于商业部件，包括汽车零部件、电子产品部件及航天航空用部件。
主权项:
1.高性能铸造镁合金，其特征在于：镁合金中的组分及质量百分比为：Zn 8%，Al 6%，Cu 1%~5%，Ca 1%~5%，Mn 1.5%，Si 1%，余量为Mg。
一种耐磨耐高温氧化NiCr-Cr3C2金属陶瓷涂层的制备方法
专利权的终止专利号: CN101988195A
申请人: 沈阳大学
发明人: 贺春林;娄德元;才庆魁;马国峰;李海松;张金林
申请日期: 2010-12-08
公开日期: 2012-06-27
IPC分类:
C23C24/10
摘要:
一种耐磨耐高温氧化NiCr-Cr3C2金属陶瓷涂层的制备方法，其制备方法为：1、配方；2、激光熔覆制备方法，3、热处理工艺。本发明制得的金属陶瓷涂层以镍基固溶体为粘结剂，以Cr3C2为增强相，避免了Cr7C3和Cr23C6的大量生成。
主权项:
1.一种耐磨耐高温氧化NiCr-Cr3C2金属陶瓷涂层的制备方法，其特征是：其制备方法为：（1）、一种耐磨耐高温氧化NiCr-Cr3C2金属陶瓷涂层的原料粉末，其组分的质量百分含量为：镍19.0～21.1，铬62.5～69.7，碳8.0～12.3，硅0.5～1.9，硼0.3～1.6，氧化钇0.2～1.8；将上述原料粉末置于密封容器中，放入混料机中混合1～3小时；（2）、激光熔覆以15～35毫米厚中碳钢板为基材，用500号SiC砂轮将基材打磨出平整光洁表面，并用无水乙醇和丙酮去油，将步骤1所得原料粉末在基材上预覆2.0～3.5毫米厚；然后通过CAD设计S型熔覆路线；激光熔覆所用激光器为5千瓦 CO2激光器，工艺参数为：功率1.5～4千瓦，光斑直径2～4.5毫米，扫描速度20～60毫米每秒， 搭接10～50%，保护气氛为氩气，送气压强0.1～0.8兆帕；由此得到NiCr-Cr3C2金属陶瓷涂层的熔覆工件；（3）、将步骤2所得熔覆工件以10～30℃每分钟的速度升温至800～1000℃，保温时间1～2小时，降温时随炉空冷；最后得到一种耐磨耐高温氧化NiCr-Cr3C2金属陶瓷涂层。
一种去除锂电解质KCl-LiCl中杂质MgCl2的方法
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN102002730A
申请人: 华东理工大学
发明人: 李冰;申淼;楼经纬;李素贞;于建国
申请日期: 2010-12-08
公开日期: 2011-04-06
IPC分类:
C25C3/04
摘要:
本发明在电解生产金属Li之前，采用电化学方法去除锂电解质KCl-LiCl中的杂质MgCl2。在450℃下通过循环伏安法研究得出金属Mg在LiCl-KCl-MgCl2融盐体系的析出电位后，以电极液态铅为阴极，采用Ag/AgCl作为参比电极，光谱纯石墨作为阳极，在析出电位下进行恒电位电解，电解时间为4.2～10小时，使金属Mg在液态铅阴极上析出。该方法操作简便，该方法经过5小时电解后可除去熔盐中96％以上的Mg。
主权项:
1.一种去除锂电解质KCl-LiCl中杂质MgCl2的方法，其特征在于，所述方法步骤如下：1)、配制电解质：在LiCl-KCl中添加MgCl2配制电解质LiCl-KCl-MgCl2体系，其中，LiCl∶KCl的摩尔比为1∶1，MgCl2为LiCl-KCl-MgCl2总质量的1.0wt％～5wt％；2)、确定Mg的析出电位：采用钨丝作为工作电极，采用Ag/AgCl作为参比电极，光谱纯石墨为对电极；在450℃下，利用方波伏安法，以50mv/s的扫描速度扫描，确定Mg的析出电位；3)、电解：将金属铅作为阴极，在450℃下铅电极为液态；采用Ag/AgCl作为参比电极，光谱纯石墨作为阳极；在Mg的析出电位下采用恒电位电解的方法进行电解，电解时间为4.2～10小时，Mg即在铅阴极上析出，之后将温度降至20～30℃，移出阴极；其中，所述的参比电极Ag/AgCl制备方法为：将Ag丝插入装有LiCl-KCl-AgCl电解质的陶瓷管中，其中LiCl∶KCl的摩尔比为1∶1，AgCl的摩尔数为LiCl-KCl-AgCl总摩尔数的4％。
一种共沉淀Cd/Al催化剂及其应用于催化合成2,6-萘二甲酸
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN102091610A
申请人: 温州大学
发明人: 唐天地;吴国强;乔迁;赵倩文;王如国
申请日期: 2010-12-08
公开日期: 2011-06-15
IPC分类:
B01J23/06
摘要:
本发明公开了一种共沉淀Cd/Al催化剂，按以下方法制得：是在80℃温度下，向碳酸钠水溶液中滴加硝酸镉水溶液与硝酸铝水溶液混合的混合溶液，滴加至pH值为3.5～4.5，然后滴加碳酸钠水溶液至pH为8.5～9.5，并在70～80℃下静置，过滤、洗涤后干燥，再以2℃/min的升温速度升到400～650℃煅烧，冷却即得到所述的共沉淀Cd/Al催化剂。并公开了所述的共沉淀Cd/Al催化剂应用于催化合成2，6-萘二甲酸。本发明Cd/Al催化剂比表面积大、催化效果好，且制备简单，其中掺入Al元素与Cd元素共同作用，提高了催化剂的催化活性。共沉淀Cd/Al催化剂应用于2，6-萘二甲酸的合成方法，一步就能得到目标产物，产物纯度较高、产率较高，工艺路线简洁。
主权项:
1.一种共沉淀Cd/Al催化剂，其特征在于所述的共沉淀Cd/Al催化剂是按照如下方法制备得到：在80℃温度下，向0.8～1.0mol/L的碳酸钠水溶液中滴加0.8～1.0mol/L的硝酸镉水溶液与0.8～1.0mol/L的硝酸铝水溶液混合的混合溶液，快速搅拌，滴加至pH值为3.5～4.5，所述混合溶液中，硝酸镉占总的硝酸镉和硝酸铝的物质的量的比例为65～95％，然后滴加0.8～1.0mol/L的碳酸钠水溶液至pH为8.5～9.5，并在70～80℃下静置30～40min，过滤，取滤饼洗涤后在100～120℃干燥10～12小时，冷却至室温，再以2℃/min的升温速度升到400～650℃，煅烧3～6小时，自然冷却到室温，即得到所述的共沉淀Cd/Al催化剂。
一种微型含油轴承用低松比铜锡合金粉的制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN102534294A
申请人: 北京有色金属研究总院;
发明人: 董小江;汪礼敏;张景怀;王林山;刘宇慧;徐景杰;穆艳如
申请日期: 2010-12-08
公开日期: 2012-07-04
IPC分类:
C22C9/02
摘要:
本发明公开了属于微型含油轴承用铜锡合金粉制备技术领域的一种微型含油轴承用低松比铜锡合金粉的制备方法，合金粉成分相的重量百分比：Cu：65～95％，Sn：5～35％。制备方法为，铜锡合金经过雾化制粉后，对制得的合金粉末进行动态氧化，然后采用高温氢还原技术得到松比适合的合金粉体。该方法流程简单、设备投入小、技术含量高，在使用和储存过程中，铜锡合金粉末不会发生机械混合粉末易出现的偏析现象，同时增大了粉末的比表面积，提高了粉末的压制烧结性能。制备出的合金粉末特别适合于生产微型含油轴承。
主权项:
1.一种微型含油轴承用低松比铜锡合金粉的制备方法，其特征在于，该铜锡合金粉成分相的重量百分比为：Cu：65～95％，Sn：5～35％，该方法步骤如下：(1)雾化制粉工艺：按照铜锡合金粉成分相的重量百分比将电解铜板与锡料混合，加热到熔融状态后，采用水雾化工艺制成合金粉末颗粒；(2)氧化粉末工艺：将合金粉末在回转窑中进行动态氧化；(3)粉体还原工艺：在还原炉中将氧化后的粉末颗粒进行还原；(4)将还原后的粉末颗粒进行筛分，合坯，制成符合微型含油轴承用的低松比铜锡合金粉末。
高精度高刚度双矩形闭式静压导轨
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN101979218A
申请人: 上海机床厂有限公司
发明人: 王伟荣;林帷杰;孙宏睿
申请日期: 2010-12-08
公开日期: 2011-02-23
IPC分类:
B24B41/00
摘要:
本发明涉及一种高精度高刚度双矩形闭式静压导轨，包括进给方向导向块、底座、静压导轨、毛细管节流器、体壳，其特点是：进给方向导向块固定安装在底座中间，两个上下方向导向块分别固定安装在底座两侧上，两条静压导轨分别固定安装在体壳下端二侧上，并与上下方向导向块和进给方向导向块形成上、下和进给方向静压油腔，上、下和进给方向静压油腔分别连接安装在体壳进油口处的上腔，下腔，进给腔毛细管节流器。本发明提高了该导轨的进给精度及刚性且便于该导轨的安装调试，达到了20mm/min的微量进给及200kgf/μ的高刚性要求。
主权项:
1.一种高精度高刚度双矩形闭式静压导轨，包括进给方向导向块（1）、底座（2）、静压导轨（3）、体壳（6），其特征在于：所述进给方向导向块(1)固定安装在底座（2）中间，两个上下方向导向块（4）分别固定安装在底座（2）两侧上，两条静压导轨（3）分别固定安装在体壳（6）下端二侧上，并与上下方向导向块（4）和进给方向导向块（1）形成上、下和进给方向静压油腔（7，8，9），上、下和进给方向静压油腔（7，8，9）分别连接安装在体壳进油口处的上腔，下腔，进给腔毛细管节流器（5，10，11）。
一种等温锻造用大型K403高温合金模具的铸造方法
发明专利权授予专利号: CN102107260A
申请人: 陕西宏远航空锻造有限责任公司
发明人: 高映民;郭鸿镇;姚泽坤;虢迎光
申请日期: 2010-12-07
公开日期: 2012-07-04
IPC分类:
B22D18/06
摘要:
本发明属于铸造技术，涉及采用K403高温合金铸造一种大型等温锻造用模具的方法。本发明等温锻造用大型K403高温合金模具的铸造方法根据模具要求，设计铸件图，确定机械加工余量、铸件综合收缩率、浇注系统及冒口位置、大小；制作砂型并烘干，根据合金化学成分配置原材料，然后熔炼浇注；铸件浇注后保持在真空状态下至少20分钟后出炉进行冷却；铸件出炉后继续冷却，凝固完毕后开箱；将清理完浇冒口的铸件阶段性降温后出炉。本发明通过对碳、锆等个别成分的严格控制，并通过工艺的改进以及对后续冷却、清理过程的严格控制，有效减少热应力，防止裂纹乃至断裂的发生，提高模具质量，延长模具使用寿命，因此具有较大实际应用价值。
主权项:
1.一种等温锻造用大型K403高温合金模具的铸造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：根据模具要求，设计铸件图，确定机械加工余量、铸件综合收缩率、浇注系统及冒口位置、大小；步骤2：制作砂型并烘干；步骤3：根据合金化学成分配置原材料，要求配料必须确保“C”含量0.170％-0.173％，“Zr”含量0.0050％-0.0054％，其余元素符合标准；步骤4：熔炼浇注，4.1将烘干的砂型放入浇注室，砂型温度达到要求温度时，先将部分金属元素加入熔炼炉，剩余元素加入加料室；4.2抽真空，当真空度达到50Pa以内时，开启高真空泵抽高真空至3Pa以内送电熔化，当炉内元素全部化清时，缓慢加入剩余元素，并控制金属元素加入速度以避免温度升高过快；4.3待元素全部化清，取样分析钢水化学成分合格，继续送电升温；4.4保持一定的过热度情况下，当超过规定的浇注温度时，通过停电静置降低浇注温度；步骤5：铸件浇注后保持在真空状态下至少20分钟后出炉进行冷却；步骤6：铸件出炉后继续冷却，凝固完毕后开箱；步骤7：将清理完浇冒口的铸件阶段性降温后出炉。
等离子显示装置及等离子显示面板的驱动方法
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN102640204A
申请人: 松下电器产业株式会社
发明人: 齐藤朋之
申请日期: 2010-12-07
公开日期: 2012-08-15
IPC分类:
G09G3/20
摘要:
本发明提供一种等离子显示装置及等离子显示面板的驱动方法。为减轻等离子显示面板中的载荷现象，提高图像显示品质，图像信号处理电路(41)具有：算出点亮单元的数量的点亮单元数算出部(60)、基于点亮单元数算出部(60)的算出结果算出各放电单元的负载值的负载值算出部(61)、基于负载值算出部(61)的算出结果算出各放电单元的修正增益的修正增益算出部(62)、判定显示图像中有无产生载荷现象的图案检测部(63)、基于图案检测部(63)的判定结果变更修正增益的修正增益变更部也就是选择电路(64)、和基于变更后修正增益修正图像信号的修正部(69)。
主权项:
1.一种等离子显示装置，其特征在于，具备：等离子显示面板，其具备多个放电单元并且具备多个像素，所述多个放电单元各自具有由扫描电极和维持电极组成的显示电极对，所述多个像素各自由发出相互不同颜色光的多个放电单元构成；和图像信号处理电路，其将输入图像信号转换为表示所述放电单元中的每个子场的点亮/不点亮的图像数据，所述图像信号处理电路，具备：点亮单元数算出部，其对每个所述显示电极对且每个子场算出被点亮的所述放电单元的数量；负载值算出部，其基于所述点亮单元数算出部中的算出结果，算出各放电单元的负载值；修正增益算出部，其基于所述负载值算出部中的算出结果，算出各放电单元的修正增益；图案检测部，其判定显示图像中有无产生载荷现象；修正增益变更部，其基于所述图案检测部中的判定结果，变更所述修正增益；和修正部，其从所述输入图像信号中减去所述修正增益变更部的输出和所述输入图像信号相乘后的结果，所述图案检测部，具备：相邻像素相关性判定部，其在相邻的所述像素间比较各放电单元被分配的灰度值，来进行相关性判定；负载值变动判定部，其将所述等离子显示面板的图像显示面划分为多个区域，在多个所述区域的各个区域中算出所述负载值的总和，在相邻的2个所述区域间比较所述负载值的总和来进行负载值变动判定；和连续性判定部，其基于所述相邻像素相关性判定部中的相关性判定的结果和所述负载值变动判定的结果，判定显示图像中有无产生载荷现象。
制备纳米基质粉末金属压块的方法
发明专利权授予专利号: CN102648064A
申请人: 贝克休斯公司
发明人: 徐志跃;G·阿格拉瓦尔;B·萨利纳斯
申请日期: 2010-12-07
公开日期: 2014-07-16
IPC分类:
B22F3/02
摘要:
本发明公开了一种制备粉末金属压块的方法。该方法包括形成包含多个涂覆的金属粉末颗粒的涂覆的金属粉末，所述涂覆的金属粉末颗粒具有颗粒芯部以及布置于其上的纳米级金属涂覆层，其中金属涂覆层具有一种化学组成，且颗粒芯部的化学组成不同于金属涂覆材料的化学组成。该方法还包括对涂覆的粉末颗粒施加预定温度和预定压力，所述预定温度和预定压力足以通过如下方式形成粉末金属压块：固相烧结多个涂覆的粉末颗粒的纳米级金属涂覆层以形成纳米基质材料的基本上连续的网状纳米基质、分散在网状纳米基质中的多个分散的颗粒以及遍及网状纳米基质扩展的固态结合层。
主权项:
1.一种制备粉末金属压块的方法，包括:形成包含多个涂覆的金属粉末颗粒的涂覆的金属粉末，所述多个涂覆的金属粉末颗粒具有颗粒芯部以及布置于其上的纳米级金属涂覆层，其中金属涂覆层具有一种化学组成，且颗粒芯部的化学组成不同于金属涂覆层的化学组成；和对涂覆的粉末颗粒施加预定温度和预定压力，所述预定温度和预定压力足以通过如下方式形成粉末金属压块：固相烧结多个涂覆的粉末颗粒的纳米级金属涂覆层以形成纳米基质材料的基本上连续的网状纳米基质、分散在网状纳米基质中的多个分散的颗粒以及遍及网状纳米基质扩展的固态结合层。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
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B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)
