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钢板和表面处理钢板以及钢板和表面处理钢板的制造方法
专利权的终止专利号: CN102282280A
申请人: 住友金属工业株式会社
发明人: 林宏太郎;水上英夫
申请日期: 2009-11-17
公开日期: 2015-01-07
IPC分类:
B21B3/00
摘要:
本发明提供钢板和表面处理钢板以及钢板和表面处理钢板的处理方法。抗拉强度为590MPa以上且弯曲性优良的高强度钢板具有下述化学组成：含有C：0.03％～0.20％、Si：0.005％～2.0％、Mn：1.2％～3.5％、P≤0.1％以下、S≤0.01％以下、sol.Al：0.001％～1.0％、N≤0.01％及Bi：0.0001％～0.05％，任意地含有Ti：≤0.3％、Nb：≤0.3％、V：≤0.3％、Cr：≤1％、Mo：≤1％、Cu：≤1％、Ni：≤1％、Ca：≤0.01％、Mg：≤0.01％、REM：≤0.01％、Zr：≤0.01％及B：≤0.01％，由距钢板表面的深度为板厚的(1/20)的位置的平均Mn浓度(Mnav)和最大Mn浓度(Mnmax)计算出的Mn偏析比(Mnmax/Mnav)小于1.30。
主权项:
1.一种钢板，其特征在于，该钢板具有下述化学组成：C、Si、Mn、P、S、sol.Al、N、Bi、Ti、Nb、V、Cr、Mo、Cu、Ni、Ca、Mg、REM、Zr及B的含有量按质量％计为C：0.03％～0.20％、Si：0.005％～2.0％、Mn：1.2％～3.5％、P≤0.1％、S≤0.01％、sol.Al：0.001％～1.0％、N≤0.01％、Bi：0.0001％～0.05％、Ti：0～0.3％、Nb：0～0.3％、V：0～0.3％、Cr：0～1％、Mo：0～1％、C u：0～1％、Ni：0～1％、C a：0～0.01％、Mg：0～0.01％、REM：0～0.01％、Zr：0～0.01％及B：0～0.01％，而且，由距钢板表面的深度为板厚的(1/20)的位置的平均Mn浓度(Mnav)和最大Mn浓度(Mnmax)计算出的Mn偏析比(Mnmax/Mnav)小于1.30。
具有导入装置的等离子系统
发明专利权授予专利号: CN102065625A
申请人: 财团法人工业技术研究院
发明人: 刘志宏;蔡陈德;许文通;苏濬贤;郑文钦;陈两仪
申请日期: 2009-11-16
公开日期: 2012-08-22
IPC分类:
H05H1/24
摘要:
本发明公开了一种具有导入装置的等离子系统。该等离子系统包括一等离子腔体及一导入装置。等离子腔体包括一第一电极及一第二电极。第一电极及第二电极用以产生一等离子。导入装置包括一等离子导入管体及一反应物导入管体。等离子导入管体耦接于等离子腔体。等离子导入管体具有一入口、一出口及一外侧壁。等离子导入管体由入口导入等离子，并由出口导出等离子。外侧壁的宽度由邻近入口之处朝向邻近出口之处逐渐缩小。反应物导入管体设置于外侧壁之外。反应物导入管体用以导入一反应物至外侧壁，以使反应物沿外侧壁朝向出口之处流动，并于出口之处与等离子混合。
主权项:
1.一种具有导入装置的等离子系统，其特征在于，包括：一等离子腔体，包括：一第一电极；及一第二电极，该第一电极及该第二电极用以产生一等离子；以及一导入装置，包括：一等离子导入管体，耦接于该等离子腔体，该等离子导入管体具有一入口、一出口及一外侧壁，该等离子导入管体由该入口导入该等离子，并由该出口导出该等离子，该外侧壁的宽度由邻近该入口之处朝向邻近该出口之处逐渐缩小；及至少一反应物导入管体，设置于该外侧壁之外，该反应物导入管体用以导入一反应物至该外侧壁，以使该反应物沿该外侧壁朝向该出口之处流动，并于该出口之处与该等离子混合。
一种超细镍金属粉末的液相制备方法
专利权的保全及其解除专利号: CN101708558A
申请人: 吉林吉恩镍业股份有限公司;
发明人: 朴东鹤;李楠;袁凤艳;霍静;雷福伟;李一;柳学全
申请日期: 2009-11-16
公开日期: 2011-04-06
IPC分类:
B22F9/30
摘要:
本发明涉及一种超细镍金属粉末的液相制备方法，该方法的具体步骤为：将四羰基镍、有机载液和分散剂混合均匀，注入通有保护气的容器后开始加热，并在整个过程中保持搅拌，反应温度为50～200℃，反应时间为0.1～12小时，最后通过真空过滤或离心分离的方法提取超细镍金属粉末；与现有的羰基金属气相分解方法相比，此方法只需要较低的反应温度和较短的反应时间，工艺简单、生产效率高。更重要的是使用此方法制备的超细镍金属粉末纯度高，分散性好，不易氧化，粒度可控。
主权项:
1.一种超细镍金属粉末的液相制备方法，其特征在于，该方法的具体步骤为：将四羰基镍、有机载液和分散剂混合均匀，注入通有氮气或氩气保护气的容器后开始加热，并在整个过程中保持搅拌，反应温度为50～200℃，反应时间为0.1～12小时，最后通过真空过滤或离心分离的方法提取超细镍金属粉末。
碳纳米管高密度Ni层的包覆方法
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN101818337A
申请人: 兰州理工大学
发明人: 李维学;郝远;陈体军;金辉;戴剑锋;王青;石刚;徐莺歌;王敦栋
申请日期: 2009-11-16
公开日期: 2010-09-01
IPC分类:
C23C18/18
摘要:
碳纳米管高密度Ni层的包覆方法，其目的是提高碳纳米管包覆镍层的致密度和均匀性，采用阳极弧等离子体法制备碳纳米管，酸化后用去离子水冲洗，静置4小时，收集上清液，反复冲洗若干次，直到pH＝7为止。将全部收集的上清液静置24小时使其沉淀，然后把沉淀物抽滤并烘干，再对烘干后的沉淀物进行敏化、活化、镀覆和热处理。
主权项:
1.碳纳米管高密度Ni层的包覆方法，其步骤为：(1)首先将碳纳米管进行提纯：将碳纳米管放入用浓HNO3和浓H2SO4按体积比1∶3配制的混合酸中浸泡24小时，然后用去离子水反复冲洗，静置4小时，收集上清液，反复冲洗若干次，直至PH＝7为止；将全部收集的上清液静置24小时使其沉淀，然后把沉淀物抽滤并烘干；(2)对提纯后上清液的碳纳米管进行敏化：将提纯后的碳纳米管放入敏化液中30分钟，使得SnCl2沉积在碳纳米管的表面上，然后对溶液进行反复水洗，直到pH＝7后将其烘干；敏化液的成份为SnCl2·2H2O：20g/L，HCl：40g/L；(3)对敏化后的碳纳米管进行活化：将敏化后的上清液碳纳米管放入活化液中静置10分钟，然后进行反复水洗，直到pH＝7后将其烘干；活化液的成份为PdCl2：0.5g/L，HCl：40g/L；(4)对活化碳纳米管进行镀覆：将活化后的上清液碳纳米管放入镀液中，采用磁力搅拌的方式，搅拌10分钟，然后将溶液超声震荡30分钟，最后进行水洗，直到pH＝7后烘干；镀液的成份为NiSO4：40g/L、Na3C6H5O7：50g/L和NaH2PO2：40g/L；(5)对镀覆后的碳纳米管进行热处理：将镀覆后的碳纳米管放入真空管式炉中进行热处理，温度为400℃，时间为3小时。
一种准晶增强镁合金及其半固态制备方法
专利权的终止专利号: CN101713042A
申请人: 大连交通大学
发明人: 张英波;权高峰;刘赵铭
申请日期: 2009-11-13
公开日期: 2011-12-14
IPC分类:
C22C1/00
摘要:
一种准晶增强Mg-Zn-Y-Al合金及其半固态制备方法，属于工业用镁合金及其制造领域。本发明合金组分及质量百分比为：4-15％Zn，0.5-3.5％Y，3-10％Al，其余为Mg。采用热挤压方法将Mg-Zn-Y-Al合金铸锭挤压成棒材，然后采用电磁感应加热装置将挤压棒材加热至半固态，进行半固态压铸成型。本发明的准晶增强Mg-Zn-Y-Al合金微观组织中含有细小的准晶增强相，其与基体具有良好的界面结合强度，可显著提高镁合金的综合力学性能；其半固态制备工艺适用于生产形状较复杂的高性能镁合金零部件，且工艺简单，成品率高，节能环保，降低成本，可广泛应用于工业生产中。
主权项:
1.一种准晶增强镁合金，其特征在于：其内部组织组成物中含有3～20％体积比的准晶相即I-Phase；化学组成为Mg、Zn、Y、Al元素，各组成元素的质量百分比为4-15％Zn，0.5-3.5％Y，3-10％Al，其余为Mg。
基于JTC的高精度光电混合像移测量装置及其方法
发明专利权授予专利号: CN102062572A
申请人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
发明人: 易红伟;李英才;李旭阳;马臻;姚大雷;赵惠
申请日期: 2009-11-13
公开日期: 2012-07-11
IPC分类:
G01B11/00
摘要:
本发明涉及一种基于JTC的高精度光电混合像移测量装置，包括激光器、设置在该激光器光路上的准直镜、设置在该准直镜的出射光路上的空间光调制器SLM、设置在空间光调制器SLM的出射光路上的傅立叶透镜和用于接收该傅立叶透镜的出射光线的CCD器件，该装置还包括连接于所述CCD器件的输出端的用于结合联合变换功率谱数据进行局部离散傅立叶变换计算、来获得互相关峰邻域的升采样影像的数字处理单元。本发明只需要一套光学傅立叶变换装置，有利于缩小整个检测装置的体积、成本，降低系统的复杂性，所提出的互相关峰检测技术能够在不增加计算量的情况下获得互相关峰的高分辨率内插数据，实现对影像间错位或像移的高精度检测。
主权项:
1.一种基于JTC的高精度光电混合像移测量装置，包括激光器、设置在该激光器光路上的准直镜、设置在该准直镜的出射光路上的空间光调制器SLM、设置在空间光调制器SLM的出射光路上的傅立叶透镜和用于接收该傅立叶透镜的出射光线的CCD器件，其特征在于：该装置还包括连接于所述CCD器件的输出端的用于结合联合变换功率谱数据进行局部离散傅立叶变换计算、来获得互相关峰邻域的升采样影像的数字处理单元。
含碳元素的LiFe1-xMxPO4化合物及制备方法
专利权的保全及其解除专利号: CN102064317A
申请人: 深圳市比克电池有限公司;
发明人: 相江峰
申请日期: 2009-11-13
公开日期: 2014-11-19
IPC分类:
H01M4/1397
摘要:
本发明公开了一种新化合物LiFe1-xMxPO4/C，M为Mn、Co、Ni、Al或V，0≤x≤1。本发明还公开了含有上述新化合物的锂离子电池正极材料以及该化合物的制备方法。本发明的LiFe1-xMxPO4/C化合物具有优异的电化学性能，其在制备采用低热固相反应法，过程简单，合成温度较低，所用材料价格低廉，便于大规模生产。
主权项:
1.含碳元素的LiFe1-xMxPO4化合物，M为Mn、Co、Ni、Al或V，0≤x≤1。
容易地致密化的二硼化钛及其制造方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN102216208A
申请人: 钴碳化钨硬质合金公司
发明人: S·E·兰德维尔;R·L·耶克利
申请日期: 2009-11-13
公开日期: 2011-10-12
IPC分类:
C25B11/04
摘要:
在此加入取代性过渡金属元素来改进二硼化钛的可致密化性，同时消除或最小化在生成的成块二硼化钛物品中有害的晶粒边界相的存在。
主权项:
1.一种具有二硼化钛晶格的物质组合物，该组合物是一种固溶体，该固溶体主要由一种二硼化钛溶剂和一种溶质构成，该溶质为选自下组的至少一种取代性过渡金属元素，该组的构成为：钨、钼、铁、钴、镍、铌、以及钽，其中该至少一种取代性过渡金属元素占据了该二硼化钛晶格的一个钛格位。
等离子显示装置和等离子显示面板的驱动方法
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN102209986A
申请人: 松下电器产业株式会社
发明人: 折口贵彦;植田光男
申请日期: 2009-11-12
公开日期: 2011-10-05
IPC分类:
G09G3/20
摘要:
在实现显示亮度的均匀化的同时，提高显示图像的亮度从而提高图像显示品质。因此，等离子显示装置具备图像信号处理电路(41)，图像信号处理电路(41)具有加载校正部(70)，其具备：点亮单元数计算部(60)，其按照每个显示电极对，并且按照每个子场来计算点亮的放电单元的个数；负载值计算部(61)，其根据点亮单元数计算部(60)中的计算结果来计算各放电单元的负载值；校正增益计算部(62)，其按照在等离子显示面板的图像显示面中中央部的校正增益比周边部的校正增益小的方式，根据放电单元的位置、和负载值计算部(61)中的计算结果来计算各放电单元的校正增益；和校正部(69)，其从输入图像信号中减去并输出将来自校正增益计算部(62)的输出和输入图像信号相乘后的结果。
主权项:
1.一种等离子显示装置，其特征在于，具备：等离子显示面板，其用子场法来驱动，所述子场法在1个场内设置多个具有初始化期间、写入期间和维持期间的子场，按照每个所述子场来设定亮度权重，并且在所述维持期间产生与亮度权重相应的数量的维持脉冲来进行灰度显示，所述等离子显示面板具备多个放电单元，所述放电单元具有由扫描电极和维持电极构成的显示电极对；和图像信号处理电路，其将输入图像信号变换为表示所述放电单元中的按每个所述子场的发光·不发光的图像数据，所述图像信号处理电路具备：点亮单元数计算部，其按照每个所述显示电极对，并且按照每个所述子场来计算点亮的所述放电单元的个数；负载值计算部，其根据所述点亮单元数计算部中的计算结果来计算各所述放电单元的负载值；校正增益计算部，其按照在所述等离子显示面板的图像显示面中中央部的校正增益比周边部的校正增益小的方式，根据所述放电单元的位置、和所述负载值计算部中的计算结果来计算各所述放电单元的校正增益；和校正部，其从所述输入图像信号中减去将来自所述校正增益计算部的输出和所述输入图像信号相乘后的结果。
等离子显示装置以及等离子显示面板的驱动方法
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN102216974A
申请人: 松下电器产业株式会社
发明人: 折口贵彦;齐藤朋之
申请日期: 2009-11-12
公开日期: 2011-10-12
IPC分类:
G09G3/20
摘要:
本发明的目的在于使显示亮度均匀、提高图像显示品质。为此，维持脉冲产生电路根据所有单元点亮率和部分点亮率选择多个驱动模式的其中一个来产生维持脉冲，图像信号处理电路(41)具有加载修正部(70)，该加载修正部(70)具备：点亮单元数计算部(60)，其按每个显示电极对并按每个子场计算出点亮的放电单元的数量；负载值计算部(61)，其根据点亮单元数计算部(60)中的计算结果，计算出各放电单元的负载值；修正增益计算部(62)，其根据负载值计算部(61)中的计算结果、所选择的驱动模式和放电单元的位置，计算出各放电单元的修正增益；以及修正部(69)，其根据来自修正增益计算部(62)的输出，对输入图像信号进行修正。
主权项:
1.一种等离子显示装置，其特征在于，具备：等离子显示面板，其通过子场法进行驱动且具备多个放电单元，所述子场法是在1个场内设置多个具有初始化期间、写入期间和维持期间的子场，按每个所述子场设定亮度权重并在所述维持期间产生与亮度权重对应的数量的维持脉冲来进行灰度显示的方法，所述放电单元具有由扫描电极和维持电极构成的显示电极对；图像信号处理电路，其将输入图像信号转换成对所述放电单元中的每个所述子场的发光/非发光进行表示的图像数据；维持脉冲产生电路，其具有使所述显示电极对的电极间电容和电感器谐振来进行所述维持脉冲的上升或者下降的电力回收电路、以及将所述维持脉冲的电压箝位在电源电压或者基础电位的箝位电路，在所述维持期间产生所述维持脉冲，并交替施加给所述显示电极对的所述扫描电极和所述维持电极；所有单元点亮率检测电路，其按每个子场检测出所述等离子显示面板的显示区域中的应该点亮的放电单元数相对于所有放电单元数的比例，来作为所有单元点亮率；和部分点亮率检测电路，其将所述等离子显示面板的显示区域分成多个区域，在所述区域的每一个中，按每个所述子场检测出应该点亮的放电单元数相对于放电单元数的比例，来作为部分点亮率；所述维持脉冲产生电路产生所述维持脉冲的上升期间以及下降期间的至少一方的长度不同的多个所述维持脉冲，并且，根据所述所有单元点亮率和所述部分点亮率，从使所产生的所述维持脉冲的组合不同的多个驱动模式中选择其中一个所述驱动模式，来产生所述维持脉冲，所述图像信号处理电路具备：点亮单元数计算部，其按每个所述显示电极对且按每个所述子场，计算出点亮的所述放电单元的数量；负载值计算部，其根据所述点亮单元数计算部中的计算结果，计算出各所述放电单元的负载值；修正增益计算部，其根据所述负载值计算部中的计算结果、所述驱动模式和所述放电单元的位置，计算出各所述放电单元的修正增益；以及修正部，其从所述输入图像信号中减去将来自所述修正增益计算部的输出与所述输入图像信号相乘的结果。
曝光装置及其使用的光掩模
专利权的终止专利号: CN102597881A
申请人: 株式会社V技术
发明人: 水村通伸
申请日期: 2009-11-12
公开日期: 2015-07-08
IPC分类:
G03F7/20
摘要:
本发明中，光掩模(3)具备：沿着与被曝光体的搬运方向(A)大致正交的方向以规定间距排列形成多个掩模图案(13)的多个掩模图案列(15)；与多个掩模图案列(15)的各掩模图案(13)分别对应而形成在被曝光体侧，并将各掩模图案(13)缩小投影到被曝光体上的多个微型透镜(14)，其中，以在位于被曝光体的搬运方向(A)的排头侧的掩模图案列(15a)所形成的多个曝光图案之间通过后续的掩模图案列(15b～15d)所形成的多个曝光图案能够进行插补并曝光的方式，将上述后续的掩模图案列(15b～15d)及与之对应的各微型透镜(14)沿着多个掩模图案(13)的上述排列方向分别错开规定尺寸。由此，在被曝光体的整面上高分辨率且高密度地形成微细的曝光图案。
主权项:
1.一种曝光装置，将被曝光体向一方向搬运并经由光掩模向所述被曝光体间歇性地照射曝光光，对应于形成在所述光掩模上的多个掩模图案而在所述被曝光体上形成曝光图案，所述曝光装置的特征在于，所述光掩模包括：沿着与所述被曝光体的搬运方向大致正交的方向将所述多个掩模图案以规定间距排列形成的多个掩模图案列；分别对应于所述多个掩模图案列的各掩模图案而形成在所述被曝光体侧，并将所述各掩模图案缩小投影到所述被曝光体上的多个微型透镜，以在位于所述被曝光体的搬运方向排头侧的所述掩模图案列所形成的多个曝光图案之间通过后续的掩模图案列所形成的多个曝光图案能够进行插补并曝光的方式，将所述后续的掩模图案列及与之对应的各微型透镜沿着所述多个掩模图案的所述排列方向分别错开规定尺寸。
气体静压导轨气膜厚度和气膜刚度的电容式测试方法
专利权的终止专利号: CN101706247A
申请人: 中国计量学院
发明人: 李东升;方波;禹静;满楠;张雯
申请日期: 2009-11-12
公开日期: 2011-02-02
IPC分类:
G01N27/22
摘要:
本发明公开了一种气体静压导轨气膜厚度和气膜刚度的电容式测试方法。利用电容测量设备测量气体静压导轨工作时气体静压导轨气浮单元与气体静压导轨工作面之间的电容量，通过数据处理系统计算气体静压导轨气膜厚度以及气膜刚度。本发明利用电容式测量方法可以精确、连续地测量气体静压导轨气膜厚度和气膜刚度大小。本发明适用于精密气体静压导轨，尤其适用于超精密、纳米气体静压导轨的气膜厚度和气膜刚度的测量。
主权项:
1.一种气体静压导轨气膜厚度和气膜刚度的电容式测试方法，其特征在于该方法的步骤如下：(1)将压强为0.2MPa～0.8MPa的空气经过气体静压导轨气浮单元的节流孔送入气体静压导轨气浮单元与气体静压导轨工作面的接触面，借助其静压使气体静压导轨气浮单元悬浮起来，气体静压导轨气浮单元与气体静压导轨工作面之间形成一层气膜，实现气体静压导轨气浮单元纯空气摩擦的直线运动；(2)电容测量装置的一端连接气体静压导轨气浮单元，另一端连接气体静压导轨工作面，测量气体静压导轨气浮单元与气体静压导轨工作面之间的电容C；通过数据处理系统计算出气体静压导轨气膜厚度和气膜刚度；(3)计算气体静压导轨气浮单元与气体静压导轨工作面之间的气膜厚度δ，其中ε是空气的介电常数，s是气体静压导轨气浮单元与气体静压导轨工作面相对应一侧的面积；(4)计算气体静压导轨气浮单元与气体静压导轨工作面之间的气膜刚度G，其中W为气体静压导轨承载力。
具有光催化功能的Al掺杂ZnO纳米片的制备方法
专利权的终止专利号: CN101717070A
申请人: 中国科学院理化技术研究所
发明人: 佘广为;师文生
申请日期: 2009-11-11
公开日期: 2012-08-15
IPC分类:
B82B3/00
摘要:
本发明属于纳米材料制备技术领域，特别涉及一种用电化学沉积法制备具有光催化功能的Al掺杂ZnO纳米片的方法。本发明是以锌盐和铝盐的水溶液作为电解液，电化学沉积过程是在标准三电极体系中进行，将电解液倒入电解池中，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极，以导电基底作为工作电极；水浴加热电解池，维持电解池中的电解液的温度为70-90℃，给上述的工作电极施加相对于上述的参比电极为-0.8～-1.6V的电位，反应完成后，在导电基底上得到Al掺杂ZnO纳米片。本发明的Al掺杂ZnO纳米片对甲基橙表现出显著的光催化降解效果，在环境治理领域具有很好的应用前景。
主权项:
1.一种具有光催化功能的Al掺杂ZnO纳米片的制备方法，其特征是，该方法包括以下步骤：1)导电基底的准备：导电基底依次用丙酮、乙醇和水超声清洗，空气中晾干；2)电解液的配制：配制锌盐和铝盐的水溶液作为电解液，其中，电解液中锌盐的浓度为5～100mM，铝盐的浓度为0.05～0.2mM；3)电化学沉积：在标准三电极体系中，将步骤2)配置的电解液倒入电解池中，以铂片作为对电极，以饱和甘汞电极作为参比电极，以步骤1)的导电基底作为工作电极；水浴加热电解池，维持电解池中的电解液的温度为70-90℃，给上述的工作电极施加相对于上述的参比电极为-0.8～-1.6V的电位，反应完成后，在导电基底上得到Al掺杂ZnO纳米片。
等离子显示装置以及等离子显示面板的驱动方法
专利权的视为放弃专利号: CN102209985A
申请人: 松下电器产业株式会社
发明人: 齐藤朋之;折口贵彦
申请日期: 2009-11-11
公开日期: 2011-10-05
IPC分类:
G09G3/20
摘要:
使显示亮度均匀，从而提高图像显示质量。为此，等离子显示装置具备等离子显示面板和图像信号处理电路(41)，图像信号处理电路(41)具有负载补正部(70)，该负载补正部(70)具备：点亮单元数算出部(60)，其按每个显示电极对且按每个子场算出点亮的放电单元的数目；负载值算出部(61)，其根据点亮单元数算出部(60)中的算出结果来算出各放电单元的负载值；补正增益算出部(62)，其根据负载值算出部(61)中的算出结果以及放电单元的位置来算出各放电单元的补正增益；和补正部(69)，其从输入图像信号中减去将来自补正增益算出部(62)的输出和输入图像信号相乘的结果，并输出相减的结果。
主权项:
1.一种等离子显示装置，其具备等离子显示面板和图像信号处理电路，其中，所述等离子显示面板，由子场法驱动，具备多个放电单元，所述放电单元具有由扫描电极和维持电极构成的显示电极对，所述子场法是在1个场内设置多个具有初始化期间、写入期间和维持期间的子场，对每个所述子场设定亮度权重，并且在所述维持期间产生与亮度权重对应的数目的维持脉冲，从而进行灰度显示的方法，所述图像信号处理电路将输入图像信号变换为表示所述放电单元中的每个所述子场的发光/非发光的图像数据，所述图像信号处理电路具备：点亮单元数算出部，其按每个所述显示电极对且按每个所述子场算出点亮的所述放电单元的数目；负载值算出部，其根据所述点亮单元数算出部中的算出结果来算出各所述放电单元的负载值；补正增益算出部，其根据所述负载值算出部中的算出结果以及所述放电单元的位置，来算出各所述放电单元的补正增益；和补正部，其从所述输入图像信号中减去将来自所述补正增益算出部的输出和所述输入图像信号相乘的结果。
一种镁铝异种金属涂层及其制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN101709448A
申请人: 大连理工大学
发明人: 刘黎明;宋刚;张兆栋;徐荣正
申请日期: 2009-11-10
公开日期: 2010-05-19
IPC分类:
C22C21/06
摘要:
本发明属于热喷涂技术领域，涉及异种金属涂层的制备方法。一种镁铝异种金属涂层及其制备方法，采用电弧喷涂或等离子喷涂或超音速火焰喷涂，将直径比为1∶1～1∶3的镁丝和铝丝作为两电极进行电弧喷涂，或将颗粒度为0.2-100μm的镁粉和铝粉按1∶1～1∶9的体积混合作为原料进行等离子喷涂或超音速火焰喷涂，喷涂得到涂层成分及其重量比为：Mg5.5％～40.0％、Al55.0％～93.0％、其它≤10％。该涂层对钢铁以及电极电位较低的铝、锌等金属具有良好的阴极保护作用。将该涂层在200℃～470℃温度下热处理30分钟～150分钟后，涂层组织中富含Al12Mg17相和Al3Mg2相，能进一步提高涂层的硬度及耐腐蚀性能。
主权项:
1.一种镁铝异种金属涂层，其特征在于，是采用以镁丝和铝丝为两电极的电弧喷涂，或采用以颗粒度为0.2-100μm的镁粉和铝粉为原料的等离子喷涂或超音速火焰喷涂得到的，涂层的成分及其重量比为：Mg5.5％～40.0％、A155.0％～93.0％、其它≤10％，将喷涂得到的涂层在200℃～470℃温度下热处理30～150分钟后，涂层中含有镁铝金属间化合物Al12Mg17和Al3Mg2。
一种采用VB6电化学测量铝的方法
发明专利申请公布后的驳回专利号: CN101769895A
申请人: 南京大学
发明人: 毕树平;章福平;倪海燕;张敏;杨立
申请日期: 2009-11-10
公开日期: 2010-07-07
IPC分类:
G01N27/48
摘要:
本发明提供一种采用VB6电化学测量铝的方法，利用Al3+与VB6的电化学行为测量铝。所述采用VB6电化学测量铝的方法，采用浓度为0.10-0.50M的KCl支持电解液，在pH值为3.5～6.5的条件下，利用Al3+使VB6在玻碳电极上产生的氧化峰电流下降值与Al3+浓度之间的线性关系对铝进行测量，其中，VB6在玻碳电极上产生的氧化峰电流下降值是指VB6浓度一定时，VB6在玻碳电极上产生的氧化峰电流与加入Al3+后在玻碳电极上产生的氧化峰电流的差值，VB6中吡哆醇的浓度为2.0×10-6～8.0×10-4M。本发明用对人体无毒的药物VB6测定铝离子，有利于建立体内测定的原位分析方法。
主权项:
1.一种采用VB6电化学测量铝的方法，其特征在于，采用浓度为0.10-0.50M的KCl支持电解液，在pH值为3.5～6.5的条件下，利用Al3+使维生素B6在玻碳电极上产生的氧化峰电流下降值与Al3+浓度之间的线性关系对铝进行测量，其中，维生素B6在玻碳电极上产生的氧化峰电流下降值是指维生素B6浓度一定时，维生素B6在玻碳电极上产生的氧化峰电流与加入Al3+后在玻碳电极上产生的氧化峰电流的差值，维生素B6中吡哆醇浓度为2.0×10-6～8.0×10-4M。
等离子灯具光源结构的制造方法
专利权的终止专利号: CN101699610A
申请人: 深圳市世纪安耐光电科技有限公司
发明人: 李众学;翁广斌
申请日期: 2009-11-06
公开日期: 2011-03-16
IPC分类:
H01J65/04
摘要:
本发明涉及一种等离子灯具光源结构的制造方法，其特征在于：所述等离子灯具的制造方法包括以下步骤：1)采用压铸铝材质制作好压铸铝外壳；2)采用模具加工出多孔陶瓷基座；3)安装电极，将等离子灯泡装入到灯腔中，使两电极正对等离子灯泡的两侧，然后在多孔陶瓷基座的灯腔内注入高温粘接剂；4)对高温粘接剂进行固化；5)将连接有等离子灯泡的多孔陶瓷基座装于压铸铝外壳内；6)采用导线将电源接口通过多孔陶瓷基座的侧壁上的孔道与多孔陶瓷基座内的两电极相连接。本发明具有操作简单，方便易行，可以提高生产效率的优点。
主权项:
1.一种等离子灯具光源结构的制造方法，其特征在于：所述等离子灯具的制造方法包括以下步骤：1)采用压铸铝材质制作半封闭的压铸铝外壳，在压铸铝外壳的侧壁上具有一个供电源通入的电源入口；2)先通过模具加工出陶瓷基座胚体，在陶瓷基座胚体的上部具有一个内凹的敞口的灯腔，在陶瓷基座胚体的的下部具有一个安装电源线的孔道且在灯腔与孔道之间设有两个电极孔，其中陶瓷基座胚体采用的是内部具有大量彼此相通并与材料表面也相贯通的孔道结构的陶瓷材料，陶瓷基座胚体经高温烧结而成多孔陶瓷基座；3)在两个电极孔内各装入一个电极，两电极的上端伸入到灯腔中，将等离子灯泡装入到灯腔中，使两电极正对等离子灯泡的两侧，然后在多孔陶瓷基座的灯腔内注入高温粘接剂，等离子灯泡独立粘合在多孔陶瓷基座上，等离子灯泡本身无导线连接；4)对高温粘接剂进行固化；5)将连接有等离子灯泡的多孔陶瓷基座装于压铸铝外壳内；6)采用导线将电源接口通过多孔陶瓷基座的侧壁上的孔道与多孔陶瓷基座内的两电极相连接。
含Ti抗拉强度≥450MPa级耐硫酸露点腐蚀钢
专利权的终止专利号: CN101705425A
申请人: 武汉钢铁(集团)公司
发明人: 宋育来;陈邦文;陈吉清;刘志勇;胡敏;郑华;杨志婷;周一中;杜明;黄成红
申请日期: 2009-11-06
公开日期: 2011-07-20
IPC分类:
C22C38/16
摘要:
本发明涉及含Ti抗拉强度≥450MPa级耐硫酸露点腐蚀钢。其解决耐硫酸露点腐蚀性能较低等不足的措施：含Ti抗拉强度≥450MPa级耐硫酸露点腐蚀钢，其化学成及重量百分比为：C：0.025～0.15％，Si：0.10～0.50％，Mn：≤1.50％，P：≤0.020％，S：≤0.010％，Cu：0.10～0.60％，W：0.05～0.80％，Ti：0.06～0.13％，Al：≤0.080％，其余为Fe及不可避免的夹杂；同时还要满足：0.65％＜Cu+W+Ti＜1.60％。本发明屈服强度≥330MPa，抗拉强度≥450MPa，延伸率≥22％，以热轧状态交货；工艺简单，成本低，具有极佳的强韧性匹配，优良的焊接性能，可广泛用于制造锅炉低温部件、烟道、烟囱、烤烟箱以及脱硫专用设备，利于推广应用。
主权项:
1.含Ti抗拉强度≥450MPa级耐硫酸露点腐蚀钢，其化学成及重量百分比为：C：0.025～0.15％，Si：0.10～0.50％，Mn：≤1.50％，P：≤0.020％，S：≤0.010％，Cu：0.10～0.60％，W：0.05～0.80％，Ti：0.06～0.13％，Al：≤0.080％，其余为Fe及不可避免的夹杂；同时还要满足：0.65％＜Cu+W+Ti＜1.60％。
孔洞化陶瓷
发明专利申请公布后的视为撤回专利号: CN102050638A
申请人: 千如电机工业股份有限公司
发明人: 王州模
申请日期: 2009-11-06
公开日期: 2011-05-11
IPC分类:
C04B38/06
摘要:
一种孔洞化陶瓷，是将粉粒状的碳化硅以适当比例添加并混合树脂，再加入溶剂并搅拌混合均匀，使树脂在混合过程中可包覆于粉粒状的碳化硅表面使其形成胶状物；再将此胶状物以挤压成型，并以碳化硅的熔点温度对固化物进行烧结，由于碳化硅的烧结温度远高于树脂，以使树脂会完全燃烧，让碳化硅之间形成孔洞进而制成孔洞化陶瓷。借此，可利用调整树脂的添加比例及改变孔洞大小与单位面积所具有的孔洞数量，进而调制出孔洞化陶瓷导热与散热的最佳条件。
主权项:
1.一种孔洞化陶瓷，是指能提高空气接触的表面积，以提高散热器的散热效果的孔洞化陶瓷，其特征在于，该孔洞化陶瓷是以碳化硅(SiC)做为基材；而孔洞化陶瓷于成型前，是先将粉粒状的碳化硅以适当比例添加树脂，再加入溶剂并搅拌混合均匀，此时溶剂为会将树脂溶解成液态，使树脂在混合过程中可包覆于粉粒状的碳化硅表面，并持续搅拌直到溶剂完全挥发使其形成胶状物；再将此胶状物以挤压成型，续以低温加热将树脂固化，使成型的胶状物形成固化物；再以碳化硅的熔点温度进行烧结，使碳化硅烧结成陶瓷，由于碳化硅的熔点远高于树脂，以使树脂在烧结过程中会完全燃烧，让其原本所占有的体积消失形成孔洞，进而制成孔洞化陶瓷。
磁头衬底材料及其制备方法
专利权的终止专利号: CN102054497A
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人: 王连军;刘磊峰;张建峰;江莞;陈立东
申请日期: 2009-11-06
公开日期: 2013-01-02
IPC分类:
G11B7/241
摘要:
本发明涉及一种磁头衬底材料及其制备方法，其特征在于采用Al2O3、TiC和Ti3SiC2为起始原料，首先通过滚筒球磨的方式进行混料，然后在高温高压的条件下将粉体烧结，从而获得致密Al2O3/TiC/Ti3SiC2新型磁头衬底材料。该材料的突出特点是组成包括Al2O3、TiC和Ti3SiC2三种组分，其中基体Al2O3晶粒尺寸为200-400nm，TiC的晶粒尺寸为1～2um，Ti3SiC2晶粒尺寸在2～5um。材料的抗弯强度在600～900MPa，显微硬度在12～19GPa。该磁头衬底材料具有制备周期短、能耗低、可加工性好，优秀的传热性能等特性，具有良好的产业化前景。
主权项:
1.磁头衬底材料，其特征在于其组成包括Al2O3、TiC和Ti3SiC2三种组分，其中Al2O3的含量为56vol％-35vol％，TiC的含量为24vol％-15vol％，Ti3SiC2余量。
金属粉末专利分析
材料体系分布
制备工艺分布
技术领域分布 (IPC分类)
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B22F10/28(3D打印) • B22F9/04(制粉) •
C23C24/10(涂层) • C22C19/05(镍合金) •
B33Y50/02(控制) • C22F1/18(热处理)
